本発明は、二次凝集を抑制しつつ、結晶子のサイズを均一にすることと、高い結晶性とを同時に実現したナノ半導体粒子の製造方法を提供する。このナノ半導体粒子の製造方法は、（a工程）半導体原料からナノサイズの粒子群を発生させ、当該粒子群を気相中に分散させる工程と、（b工程）当該粒子群を、気相中で分散した状態を保持した状態で当該粒子に熱処理を施す工程と、（c工程）前記熱処理を施した粒子群を熱処理後直ちに、当該熱処理を施した粒子群の粒子表面を表面修飾する表面修飾剤の溶液で捕集する工程とを含むことを特徴とする。