Invention Application
- Patent Title: 電子線、X線またはEUV光を用いたリソグラフィー法に用いられるレジスト組成物
- Patent Title (English): Resist composition for use in lithography method utilizing electron beam, x-ray or euv light
- Patent Title (中): 使用电子束,X射线或EUV光的光刻方法中的耐蚀组合物
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Application No.: PCT/JP2007/069881Application Date: 2007-10-11
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Publication No.: WO2008044741A1Publication Date: 2008-04-17
- Inventor: 佐々木 崇 , 横小路 修
- Applicant: 旭硝子株式会社 , 佐々木 崇 , 横小路 修
- Applicant Address: 〒1008405 東京都千代田区有楽町一丁目12番1号 Tokyo JP
- Assignee: 旭硝子株式会社,佐々木 崇,横小路 修
- Current Assignee: 旭硝子株式会社,佐々木 崇,横小路 修
- Current Assignee Address: 〒1008405 東京都千代田区有楽町一丁目12番1号 Tokyo JP
- Agency: 泉名 謙治 et al.
- Priority: JP2006-278841 20061012; JP2007-151687 20070607
- Main IPC: G03F7/039
- IPC: G03F7/039 ; C08F12/14 ; G03F7/004 ; H01L21/027
Abstract:
電子線、X線またはEUV光を用いたリソグラフィー法に用いられるレジスト組成物を提供する。 側鎖に含フッ素芳香族環構造を有する繰り返し単位(F)を含む酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する含フッ素重合体(F)と、酸を発生する化合物とを含む、電子線、X線またはEUV光を用いたリソグラフィー法に用いられるレジスト組成物。たとえば、繰り返し単位(F)は、下記繰り返し単位(F V )である(ただし、R F は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはハロメチル基(3個のR F は同一であってもよく、異なっていてもよい。)であり、Y F は炭素数1~20の酸分解性基または水素原子であり、p、qおよびrはそれぞれ独立に0~5の整数であり、かつp、qおよびrの和は1~5の整数である。)。
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IPC分类: