Invention Application
- Patent Title: 半導体装置及びその製造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and its manufacturing method
- Patent Title (中): 半导体器件及其制造方法
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Application No.: PCT/JP2007/056940Application Date: 2007-03-29
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Publication No.: WO2008120378A1Publication Date: 2008-10-09
- Inventor: 田辺 亮
- Applicant: 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 , 田辺 亮
- Applicant Address: 〒1630722 東京都新宿区西新宿二丁目7番1号 Tokyo JP
- Assignee: 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社,田辺 亮
- Current Assignee: 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社,田辺 亮
- Current Assignee Address: 〒1630722 東京都新宿区西新宿二丁目７番１号 Tokyo JP
- Agency: 國分 孝悦
- Main IPC: H01L21/8238
- IPC: H01L21/8238 ; H01L21/822 ; H01L21/8244 ; H01L27/04 ; H01L27/08 ; H01L27/092 ; H01L27/11 ; H01L29/78
Abstract:
第２の方向において、平面視で、ｎチャネルＭＯＳトランジスタと膨張膜（１１）とが隣り合っている。このため、ｎチャネルＭＯＳトランジスタは膨張膜（１１）からチャネル長が広げられる方向への正の応力を受ける。この結果、ｎチャネルＭＯＳトランジスタのチャネルには、電子の移動方向への正の引張歪が生じる。一方、第２の方向において、平面視で、ｐチャネルＭＯＳトランジスタと膨張膜（１１）とは互いからずれている。このため、ｐチャネルＭＯＳトランジスタは膨張膜（１１）からチャネル長が狭められる方向への正の応力を受ける。この結果、ｐチャネルＭＯＳトランジスタのチャネルには、正孔の移動方向への正の圧縮歪が生じる。従って、ｎチャネルＭＯＳトランジスタ及びｐチャネルＭＯＳトランジスタの双方のオン電流を向上することができる。
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IPC分类:
