本発明は、ガラス基板の薄板化を目的とするエッチング処理方法であって、エッチングレートが高く、かつ、ガラス基板表面でのヘイズの発生を抑制することができるエッチング処理方法を提供する。本発明は、ガラス基板表面をエッチング量で１～６９０μｍエッチング処理するガラス基板表面のエッチング処理方法において、前記エッチング処理がＨＦ濃度１～５ｗｔ％、ＨＣｌ濃度１ｗｔ％以上のエッチング液により行われることを特徴とするガラス基板表面のエッチング処理方法に関する。