半導体装置（１）は、多層配線基板（４）とこの多層配線基板（４）上に実装される半導体チップ（２）を備えている。半導体チップ（２）の電極パッド（３）は、半導体チップ（２）の裏面（２ａ）の各角に近接して配置された電極パッドを含む第１電極パッド（３ａ）と、それ以外の第２電極パッド（３ｂ）とからなっている。多層配線基板（４）上の接続パッド（５）は、第１電極パッド（３ａ）とバンプ（７）を介して接続された第１接続パッド（５ａ）と、第２電極パッド（３ｂ）とバンプ（７）を介して接続された第２接続パッド（５ｂ）とからなっている。第１接続パッド（５ａ）は、熱可塑性樹脂で構成された第１絶縁領域（４１）で支持されており、第２接続パッド（５ｂ）は、熱硬化性樹脂で構成された第２絶縁領域（４２）で支持されている。