Invention Application
- Patent Title: ガス供給装置、処理装置、処理方法、及び記憶媒体
- Patent Title (English): Gas feeding device, treating device, treating method, and storage medium
- Patent Title (中): 气体输送装置,处理装置,处理方法和储存介质
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Application No.: PCT/JP2009/055658Application Date: 2009-03-23
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Publication No.: WO2009119500A1Publication Date: 2009-10-01
- Inventor: 津田 栄之輔
- Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 津田 栄之輔
- Applicant Address: 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目3番1号 Tokyo JP
- Assignee: 東京エレクトロン株式会社,津田 栄之輔
- Current Assignee: 東京エレクトロン株式会社,津田 栄之輔
- Current Assignee Address: 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目3番1号 Tokyo JP
- Agency: 吉武 賢次
- Priority: JP2008-084217 20080327
- Main IPC: H01L21/31
- IPC: H01L21/31 ; C23C16/455 ; H01L21/205 ; H01L21/3065
Abstract:
ガス供給装置3は、縮径端32a側から拡径端32b側にガスを通流させるための概ね円錐形状のガス通流空間32を形成する本体部31と、ガス通流空間32の縮径端32a側に設けられ、ガス通流空間32にガスを導入するためのガス導入ポート61a~63a、61b~63b、64と、ガス通流空間32内に設けられ、ガス通流空間32を同心円状に区画する複数の区画部材41~46と、を備えている。一の区画部材42~46の末広がりの程度は、径方向内側に隣接する区画部材41~45の末広がりの程度より大きい。このことにより、従来のガスシャワーヘッドに比べてガス供給装置内部のガス流路におけるコンダクタンスを大きくして、そのガス流路におけるガスの置換性を向上させることができる。
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IPC分类: