Invention Application
WO2009150083A1 PROCÉDÉ DE DÉPÔT SÉLECTIF D'UN MÉTAL PRÉCIEUX SUR UN SUPPORT PAR ABLATION ULTRASONORE D'UN ÉLÉMENT DE MASQUAGE ET SON DISPOSITIF
审中-公开
通过掩模元件的超声波沉积在衬底上选择沉积金属的方法及其器件
- Patent Title: PROCÉDÉ DE DÉPÔT SÉLECTIF D'UN MÉTAL PRÉCIEUX SUR UN SUPPORT PAR ABLATION ULTRASONORE D'UN ÉLÉMENT DE MASQUAGE ET SON DISPOSITIF
- Patent Title (English): Method for selectively depositing a precious metal on a substrate by the ultrasound ablation of a mask element, and device thereof
- Patent Title (中): 通过掩模元件的超声波沉积在衬底上选择沉积金属的方法及其器件
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Application No.: PCT/EP2009/056803Application Date: 2009-06-03
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Publication No.: WO2009150083A1Publication Date: 2009-12-17
- Inventor: ROCHON, Sylvain , HIHN, Jean-Yves , HALLEZ, Loïc , TOUYERAS, Francis
- Applicant: C&K COMPONENTS S.A.S. , L'UNIVERSITE DE FRANCHE COMTE , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , ROCHON, Sylvain , HIHN, Jean-Yves , HALLEZ, Loïc , TOUYERAS, Francis
- Applicant Address: 1 rue Louis de la Verne F-39100 Dole FR
- Assignee: C&K COMPONENTS S.A.S.,L'UNIVERSITE DE FRANCHE COMTE,CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE,ROCHON, Sylvain,HIHN, Jean-Yves,HALLEZ, Loïc,TOUYERAS, Francis
- Current Assignee: C&K COMPONENTS S.A.S.,L'UNIVERSITE DE FRANCHE COMTE,CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE,ROCHON, Sylvain,HIHN, Jean-Yves,HALLEZ, Loïc,TOUYERAS, Francis
- Current Assignee Address: 1 rue Louis de la Verne F-39100 Dole FR
- Agency: KOHN, Philippe et al.
- Priority: FR0853892 20080612
- Main IPC: C25D5/02
- IPC: C25D5/02 ; C23C18/16 ; C23C18/18 ; C23C18/42 ; C25D17/00
Abstract:
L'invention concerne un procédé de dépôt sélectif d'un métal précieux (32) sur un support métallique (10), procédé qui comporte successivement une étape de masquage qui consiste à déposer un élément de masquage (16) sur une face à traiter (12) du support métallique (10), une étape d'ablation sélective d'au moins une portion à enlever (17) de l'élément de masquage (16) préalablement déposé, afin de découvrir au moins une zone de dépôt (18) de ladite face à traiter (12) du support métallique (10), une étape de dépôt du métal précieux (32) sur ladite zone de dépôt (18) préalablement découverte, caractérisé en ce que l'étape d'ablation sélective consiste à irradier avec des ondes ultrasonores (22) ladite portion à enlever (17) de l'élément de masquage (16), de façon à détruire ladite portion à enlever (17). L'invention concerne aussi un dispositif (20) à ultrasons pour la mise en oeuvre de l'étape d'ablation sélective.
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