Invention Application
- Patent Title: IGBT、及び、IGBTの製造方法
- Patent Title (English): Igbt and igbt manufacturing method
- Patent Title (中): IGBT和IGBT制造方法
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Application No.: PCT/JP2009/067844Application Date: 2009-10-15
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Publication No.: WO2010047267A1Publication Date: 2010-04-29
- Inventor: 西脇 剛 , 斎藤 順
- Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 西脇 剛 , 斎藤 順
- Applicant Address: 〒4718571 愛知県豊田市トヨタ町1番地 Aichi JP
- Assignee: トヨタ自動車株式会社,西脇 剛,斎藤 順
- Current Assignee: トヨタ自動車株式会社,西脇 剛,斎藤 順
- Current Assignee Address: 〒4718571 愛知県豊田市トヨタ町1番地 Aichi JP
- Agency: 特許業務法人 快友国際特許事務所
- Priority: JP2008-273780 20081024
- Main IPC: H01L29/739
- IPC: H01L29/739 ; H01L21/336 ; H01L29/12 ; H01L29/78
Abstract:
【課題】不純物濃度の製造ばらつきが生じたとしても、オン電圧がばらつき難いIGBTを提供する。 【解決手段】第2導電型のボディ領域内に第1導電型のフローティング領域が形成されている縦型IGBTであって、フローティング領域とその上側のボディ領域との境界部近傍における第1導電型不純物濃度が上側から下側に向かうに従って上昇するように分布しており、フローティング領域とその下側のボディ領域との境界部近傍における第1導電型不純物濃度が上側から下側に向かうに従って低下するように分布しており、フローティング領域とその上側のボディ領域との境界部近傍における第2導電型不純物濃度が上側から下側に向かうに従って低下するように分布しており、フローティング領域とその下側のボディ領域との境界部近傍における第2導電型不純物濃度が上側から下側に向かうに従って上昇するように分布している。
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IPC分类: