Invention Application
- Patent Title: トリクロロシラン冷却塔およびそれを用いたトリクロロシラン製造方法
- Patent Title (English): Trichlorosilane cooling tower and process for producing trichlorosilane with the same
- Patent Title (中): 三氯硅烷冷却塔及其生产三氯硅烷的方法
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Application No.: PCT/JP2009/054271Application Date: 2009-03-06
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Publication No.: WO2010100750A1Publication Date: 2010-09-10
- Inventor: 松尾 靖史 , 竹村 晃一 , 中本 潤
- Applicant: 電気化学工業株式会社 , 松尾 靖史 , 竹村 晃一 , 中本 潤
- Applicant Address: 〒1038338 東京都中央区日本橋室町二丁目1番1号 Tokyo JP
- Assignee: 電気化学工業株式会社,松尾 靖史,竹村 晃一,中本 潤
- Current Assignee: 電気化学工業株式会社,松尾 靖史,竹村 晃一,中本 潤
- Current Assignee Address: 〒1038338 東京都中央区日本橋室町二丁目1番1号 Tokyo JP
- Agency: 園田 吉隆
- Main IPC: C01B33/107
- IPC: C01B33/107
Abstract:
本発明は、反応生成ガスの冷却効率を大幅に改善できるトリクロロシラン冷却塔に関し、テトラクロロシランと水素とを含有する原料ガスを700~1400°Cの範囲の温度で反応させて得られるトリクロロシランを含有する反応生成ガスに平均液滴粒子径が2000μm以下の範囲の冷却液を噴霧して70~600°Cの温度範囲に急冷する一次冷却手段と、一次冷却手段の上方に設けられ、一次冷却後の反応生成ガスに冷却液をさらに噴霧して30~60°Cの温度範囲に冷却する二次冷却手段とを有する。
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