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Invention Application
WO2011021316A1 半導体装置及びその製造方法 审中-公开
半导体器件及其制造方法

半導体装置及びその製造方法
Abstract:
　半導体装置は、第１のＭＩＳトランジスタｎＴｒと第２のＭＩＳトランジスタｐＴｒとを備えている。第１のＭＩＳトランジスタｎＴｒは、半導体基板１０における第１の活性領域１０ａ上に形成され、第１の高誘電率膜１４Ｘａを有する第１のゲート絶縁膜１４Ａと、第１のゲート絶縁膜１４Ａ上に形成された第１のゲート電極１８Ａとを備えている。第２のＭＩＳトランジスタｐＴｒは、半導体基板１０における第２の活性領域１０ｂ上に形成され、第２の高誘電率膜１４ｘを有する第２のゲート絶縁膜１４Ｂと、第２のゲート絶縁膜１４Ｂ上に形成された第２のゲート電極１８Ｂとを備えている。第２の高誘電率膜１４ｘは、第１の調整用金属を含み、第１の高誘電率膜１４Ｘａは、第２の高誘電率膜１４ｘよりも窒素濃度が高く、且つ、第１の調整用金属を含まない。
Abstract(Chinese):

公开了一种具有第一MIS晶体管（nTr）和第二MIS晶体管（pTr）的半导体器件。 第一MIS晶体管（nTr）设置有形成在半导体衬底（10）上的第一有源区（10a）上并具有第一高介电常数膜（14Xa）的第一栅极绝缘膜（14A） ; 以及形成在第一栅极绝缘膜（14A）上的第一栅电极（18A）。 第二MIS晶体管（pTr）设置有形成在半导体衬底（10）上的第二有源区（10b）上的第二栅极绝缘膜（14B），并具有第二高介电常数膜（14x） ; 和形成在第二栅极绝缘膜（14B）上的第二栅电极（18B）。 第二高介电常数膜（14x）包含用于调节的第一金属，第一高介电常数膜（14Xa）的氮浓度高于第二高介电常数膜（14x），并且不含第一金属 用于调整。

IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8238 ........互补场效应晶体管，例如CMOS
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