Invention Application
- Patent Title: 波長変換素子の製造方法
- Patent Title (English): Method for manufacturing wavelength conversion element
- Patent Title (中): 制造波长转换元件的方法
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Application No.: PCT/JP2010/004948Application Date: 2010-08-06
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Publication No.: WO2011024392A1Publication Date: 2011-03-03
- Inventor: 青野暁史 , 水内公典
- Applicant: パナソニック株式会社 , 青野暁史 , 水内公典
- Applicant Address: 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka JP
- Assignee: パナソニック株式会社,青野暁史,水内公典
- Current Assignee: パナソニック株式会社,青野暁史,水内公典
- Current Assignee Address: 〒5718501 大阪府門真市大字門真１００６番地 Osaka JP
- Agency: 原田洋平
- Priority: JP2009-197506 20090828
- Main IPC: G02F1/37
- IPC: G02F1/37
Abstract:
基本波を第２高調波に変換する波長変換素子３の製造方法において、非線形光学結晶基板１に周期状の分極反転構造を形成（ステップ２）後、非線形光学結晶基板１の温度を位相整合温度近傍に保持した状態で、基本波を位相整合温度の単位時間当たりの変化量があらかじめ定めた基準値以下になるまで、基本波と同じ波長の第１の光４を照射入射するエージング工程（ステップ４）とを備えることを特徴とする波長変換素子の製造方法とした。
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