［課題］高集積化および低消費電力化が可能なパストランジスタ回路を提供する。 ［解決手段］第１の信号線に接続される第１の入出力端子２４と、第２の信号線に接続される第２の入出力端子２６と、一端が第１の電源に接続される第１の素子１０ａと、第１の素子の他端に一端が接続され、他端が第２の電源に接続される第２の素子１０ｂと、第１の素子の他端にソースが接続され、ゲートに第１の制御信号を受ける第１のトランジスタ１０ｃと、第１のトランジスタのドレインにゲートが接続され、第１の入出力端子にソースが接続され、第２の入出力端子にドレインが接続された第２のトランジスタ１０ｄと、を備え、第１および第２の素子のうちの少なくとも一方が不揮発性メモリ素子であり、他方がＭＯＳＦＥＴである。