Invention Application
- Patent Title: HALBLEITERBAUELEMENT MIT DURCHKONTAKTIERUNG UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
- Patent Title (English): Semiconductor component having a plated through-hole and method for the production thereof
- Patent Title (中): 半导体部件通过与方法及其
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Application No.: PCT/EP2010/063985Application Date: 2010-09-22
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Publication No.: WO2011045153A1Publication Date: 2011-04-21
- Inventor: SCHRANK, Franz
- Applicant: AUSTRIAMICROSYSTEMS AG , SCHRANK, Franz
- Applicant Address: Schloss Premstätten A-8141 Unterpremstätten AT
- Assignee: AUSTRIAMICROSYSTEMS AG,SCHRANK, Franz
- Current Assignee: AUSTRIAMICROSYSTEMS AG,SCHRANK, Franz
- Current Assignee Address: Schloss Premstätten A-8141 Unterpremstätten AT
- Agency: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
- Priority: DE10 20091013
- Main IPC: H01L21/768
- IPC: H01L21/768 ; H01L23/48 ; H01L25/065
Abstract:
Eine Anschlusskontaktschicht (4) ist zwischen Halbleiterkörpern (1, 2) angeordnet. In dem zweiten Halbleiterkörper (2) befindet sich eine Aussparung. Eine oberseitige Anschlussschicht (7) reicht bis zu der Aussparung,in der eine Metallisierung (10) vorhanden ist, die die Anschlusskontaktschicht (4) mit der Anschlussschicht (7) elektrisch leitend verbindet. In der Aussparung ist ein Polymer (8) oder eine weitere Metallisierung vorhanden.
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IPC分类:
