半導体装置は、半導体基板（１）の上に形成された電極パッド（６）と、電極パッド（６）の上に形成され、且つ、電極パッド（６）の一部が露出する第１開口部を有する第１絶縁膜（７）と、第１絶縁膜（７）の上に形成され、且つ、第１開口部における少なくとも一部が露出する第２開口部を有する第２絶縁膜（８）と、第２絶縁膜（８）及び電極パッド（６）の上に形成された第１の金属層（１０）とを備えている。第１の金属層（１０）は、第２絶縁膜（８）の表面における第２開口部の外側である第１領域と電極パッド（６）の表面における第２開口部の内側である第２領域とにより挟まれる第３領域により分離されている。