Invention Application
WO2012029381A1 発光素子およびその製造方法、発光装置の製造方法、照明装置、バックライト、表示装置、並びにダイオード
审中-公开
发光元件及其制造方法，发光装置的制造方法，照明装置，背光，显示装置和二极管
- Patent Title: 発光素子およびその製造方法、発光装置の製造方法、照明装置、バックライト、表示装置、並びにダイオード
- Patent Title (English): Light emitting element and production method for same, production method for light-emitting device, illumination device, backlight, display device, and diode
- Patent Title (中): 发光元件及其制造方法，发光装置的制造方法，照明装置，背光，显示装置和二极管
-
Application No.: PCT/JP2011/064231Application Date: 2011-06-22
-
Publication No.: WO2012029381A1Publication Date: 2012-03-08
- Inventor: 柴田 晃秀 , 根岸 哲 , 小宮 健治 , 矢追 善史 , 塩見 竹史 , 岩田 浩 , 高橋 明
- Applicant: シャープ株式会社 , 柴田 晃秀 , 根岸 哲 , 小宮 健治 , 矢追 善史 , 塩見 竹史 , 岩田 浩 , 高橋 明
- Applicant Address: 〒5458522 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 Osaka JP
- Assignee: シャープ株式会社,柴田 晃秀,根岸 哲,小宮 健治,矢追 善史,塩見 竹史,岩田 浩,高橋 明
- Current Assignee: シャープ株式会社,柴田 晃秀,根岸 哲,小宮 健治,矢追 善史,塩見 竹史,岩田 浩,高橋 明
- Current Assignee Address: 〒5458522 大阪府大阪市阿倍野区長池町２２番２２号 Osaka JP
- Agency: 田中 光雄
- Priority: JP2011-122176 20110531; JP2010-208023 20100916; JP2010-195788 20100901
- Main IPC: H01L33/24
- IPC: H01L33/24 ; F21S2/00 ; G02F1/13357 ; H01L21/205 ; H01L31/04 ; H01L31/10 ; F21Y101/02
Abstract:
この発光素子(１００)は、ｎ型ＧａＮ半導体基部(１１３)と、ｎ型ＧａＮ半導体基部(１１３)上に立設状態で互いに間隔を隔てて形成された複数のｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)と、ｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)を覆うｐ型ＧａＮ半導体層(１２３)とを備えた。ｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)は棒状半導体(１２１)にｎ型を与える不純物量を増やすことにより容易に低抵抗化できる。それゆえ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)の長さを長くしても、ｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)の抵抗の増大が抑えられ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体(１２１)の根元部から先端部にわたって一様に発光させることができる。
Information query
IPC分类:
