Invention Application
- Patent Title: 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ
- Patent Title (English): Oxide for semiconductor layer of thin-film transistor, spattering target, and thin-film transistor
- Patent Title (中): 薄膜晶体管，散射靶和薄膜晶体管半导体层氧化物
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Application No.: PCT/JP2011/077319Application Date: 2011-11-28
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Publication No.: WO2012070676A1Publication Date: 2012-05-31
- Inventor: 三木 綾 , 森田 晋也 , 釘宮 敏洋 , 安野 聡
- Applicant: 株式会社神戸製鋼所 , 三木 綾 , 森田 晋也 , 釘宮 敏洋 , 安野 聡
- Applicant Address: 〒6518585 兵庫県神戸市中央区脇浜町2丁目10番26号 Hyogo JP
- Assignee: 株式会社神戸製鋼所,三木 綾,森田 晋也,釘宮 敏洋,安野 聡
- Current Assignee: 株式会社神戸製鋼所,三木 綾,森田 晋也,釘宮 敏洋,安野 聡
- Current Assignee Address: 〒6518585 兵庫県神戸市中央区脇浜町２丁目１０番２６号 Hyogo JP
- Agency: 植木 久一
- Priority: JP2010-264325 20101126; JP2011-008321 20110118; JP2011-194408 20110906
- Main IPC: H01L29/786
- IPC: H01L29/786 ; C23C14/08 ; C23C14/34 ; G01G19/00 ; H01L21/363
Abstract:
本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎと；Ｓｉ、Ｈｆ、Ｇａ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含むものである。本発明によれば、高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性（ストレス印加前後の閾値電圧シフト量が少ないこと）にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供できた。
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IPC分类:
