Invention Application
- Patent Title: 그래핀의 ｎ-도핑 방법
- Patent Title (English): Method for n-doping graphene
- Patent Title (中): 硝酸盐法的方法
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Application No.: PCT/KR2012/001589Application Date: 2012-03-02
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Publication No.: WO2012118350A2Publication Date: 2012-09-07
- Inventor: 홍병희 , 김은선
- Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 홍병희 , 김은선
- Applicant Address: 경기도 수원시 장안구 서부로 2066, 성균관대학교내 (천천동), 440-746 Gyeonggi-do KR
- Assignee: 성균관대학교산학협력단,홍병희,김은선
- Current Assignee: 성균관대학교산학협력단,홍병희,김은선
- Current Assignee Address: 경기도 수원시 장안구 서부로 2066, 성균관대학교내 (천천동), 440-746 Gyeonggi-do KR
- Agency: 특허법인 엠에이피에스
- Priority: KR10-2011-0018425 20110302
- Main IPC: C01B31/02
- IPC: C01B31/02 ; H01L21/329 ; H01L21/761
Abstract:
본원은, 기재 상에 탄소 소스를 포함하는 반응 가스 및 열을 제공하여 반응시킴으로써 상기 기재 상에 그래핀을 성장시키는 단계; 및, n-형 도펀트를 포함하는 도핑 용액 또는 n-형 도펀트를 포함하는 증기에 의해 상기 그래핀을 n-도핑하는 단계: 를 포함하는, 그래핀의 n-도핑 방법, 이에 의해 제조되는 n-도핑된 그래핀 및 상기 n-도핑된 그래핀을 포함하는 소자를 제공한다.
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