本発明による水素化処理方法は、プラズマ発生部（２０）を用意する工程と、密閉部材（３０）を用意する工程と、密閉部材（３０）内にアモルファスシリコン膜（Ｓ）を配置する工程と、プラズマ発生部（２０）が、密閉部材（３０）内の少なくとも一部の領域において水素ガスを含む大気圧近傍の圧力のガスにプラズマを発生させることにより、アモルファスシリコン膜（Ｓ）にプラズマ処理を行う工程とを包含する。好適には、アモルファスシリコン膜（Ｓ）を配置する工程は、シラン化合物の溶解した溶液を用いて密閉部材（３０）内にアモルファスシリコン膜（Ｓ）を形成する工程を含む。