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WO2013051463A1 ウエハの接合方法及び接合部の構造 审中-公开
WAFER粘结方法和结构的结合部分

ウエハの接合方法及び接合部の構造
Abstract:
　ウエハ１の表面に密着層４を形成し、密着層４の上方にＡｕＳｎとの濡れ性の悪い材料からなる拡散防止層７を積層する。さらに、拡散防止層７の縁よりも引っ込めて拡散防止層７の表面に接着層８を形成し、ウエハ１の表面に接合部３を形成する。一方、ウエハ１１の下面に接合部１３を設け、接合部１３の下にＡｕＳｎハンダ層１９を設ける。ウエハ１とウエハ１１とを向かい合わせ、ＡｕＳｎハンダ層１９を溶融させて接合部３と接合部１３をＡｕＳｎハンダ２２によってＡｕＳｎ共晶接合させる。
Abstract(Chinese):

在晶片（1）的表面上形成粘合层（4），并且在粘合剂层（4）的顶部上沉积由相对于AuSn具有差的润湿性的材料制成的防扩散层（7）。 此外，在扩散防止层（7）的表面上形成从扩散防止层（7）的边缘更靠内侧的粘合剂层（8），在晶片的表面上形成接合部（3） 1）。 另外，在晶片（11）的下表面上设置接合部（13），在接合部（13）的下方设置AuSn焊料层（19）。 晶片（1）和晶片（11）彼此相对定位，AuSn焊料层（19）熔化，接合部分（3）和接合部分（13）通过AuSn进行AuSn共晶接合 焊料（22）。

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