发明申请
WO2013073802A1 열 안정성이 우수한 투명도전막, 투명도전막용 타겟 및 투명도전막용 타겟의 제조방법
审中-公开
具有超导热稳定性的透明导电薄膜，透明导电薄膜的目标，以及制造透明导电薄膜的方法
- 专利标题： 열 안정성이 우수한 투명도전막, 투명도전막용 타겟 및 투명도전막용 타겟의 제조방법
- 专利标题（英）： Transparent conductive film having superior thermal stability, target for transparent conductive film, and method for manufacturing transparent conductive film
- 专利标题（中）： 具有超导热稳定性的透明导电薄膜，透明导电薄膜的目标，以及制造透明导电薄膜的方法
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申请号： PCT/KR2012/009486申请日： 2012-11-09
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公开(公告)号： WO2013073802A1公开(公告)日： 2013-05-23
- 发明人: 박장우 , 김상희
- 申请人： 주식회사 나노신소재
- 申请人地址： 339-942 세종시 부강면 금호리 244, Sejong KR
- 专利权人： 주식회사 나노신소재
- 当前专利权人： 주식회사 나노신소재
- 当前专利权人地址： 339-942 세종시 부강면 금호리 244, Sejong KR
- 代理机构： 특허법인 다나
- 优先权： KR10-2011-0121162 20111118
- 主分类号： H01B1/08
- IPC分类号： H01B1/08 ; H01B5/14 ; C04B35/01 ; C23C14/34
摘要：
본 발명은 산화인듐 및 산화탄탈륨을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명도전막에 관한 것이다. 상기 투명도전막은 도펀트로 4족, 5족, 6족, 7족, 8족, 9족, 10족, 11족, 12족, 13족, 14족 및 15족으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소의 산화물을 추가적으로 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 투명도전막은 저온 열처리 공정에서도 결정화되고, 저온에서 저저항 특성을 가져 전기전도도가 우수하고 열안정성이 우수하다.
