室温でモット転移により相転移しスイッチング機能を実現する薄膜または積層体を提供する。本発明のある実施形態においては、基板１の面の上に形成され、組成式ＲＭｎＯ ３ （ただし、Ｒはランタノイドから選択される少なくとも１種の３価の希土類元素）により表される組成のマンガン酸化物薄膜２であって、元素Ｒを含みＭｎを含まない原子層と、Ｍｎを含み元素Ｒを含まない原子層とが基板面に垂直方向に向かって交互に並ぶように積層されており、基板面の面内方向に、互いに非等価な２つの結晶軸を有しているマンガン酸化物薄膜が提供される。また、本発明のある態様においては、上記態様のマンガン酸化物薄膜２に、強相関酸化物薄膜３、３１、３２を接して形成した酸化物積層体も提供される。