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Invention Application
WO2013114870A1 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 审中-公开
等离子体处理装置和等离子体处理方法

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Abstract:
【課題】１回の枚葉プラズマ処理の中でプラズマプロセスのゆらぎやばらつきを精緻に抑制する。 【解決手段】ＯＥＳ計測部１１０は、各ステップの終了時または終了直後に分光計測値ＭＯＥＳ i を出力する。ＣＤ推定部１４０は、推定モデル記憶部１４２より取り込むＣＤ推定モデルＡＭ i と分光計測値ＭＯＥＳ i とを用いて各ステップ分のＣＤ推定値ＡＣＤ i を求める。プロセス制御部１３２は、次のステップにおいて、レシピ記憶部１３６より取り込んだ次のステップ分のプロセス条件設定値ＰＣ i+1 および制御モデル記憶部１３８より取り込んだ次のステップ分のプロセス制御モデルＣＭ i+1 に加えて、ＣＤ推定部１４０より受け取った前ステップ分のＣＤ推定値ＡＣＤ i を制御対象１３０の自動制御に用いる。
Abstract(Chinese):

[问题]精确地抑制一次性片状等离子体处理中的等离子体处理中的波动和不均匀。 [解决方案] OES测量单元（110）在每个步骤完成之后或之后输出光谱测量值（MOESi）。 CD估计单元（140）使用从估计模型存储单元（142）引入的光谱测量值（MOESi）和CD估计模型（AMi）来找出每个步骤的CD估计值（ACDi）。 在对要被控制的被摄体（130）的自动控制中，处理控制单元（132）使用从CD估计单元（140）获取的用于下一步骤的前一步骤的CD估计值（ACDi） 除了从配方存储单元（136）引入的下一步骤的处理条件设定值（PCi + 1）以及从控制引入的下一步骤的处理控制模型（CMi + 1） 模型存储单元（138）。

IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065 .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀
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