Invention Application
- Patent Title: ESD保護デバイスおよびその製造方法
- Patent Title (English): Esd protection device and manufacturing method therefor
- Patent Title (中): ESD保护装置及其制造方法
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Application No.: PCT/JP2013/054628Application Date: 2013-02-23
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Publication No.: WO2013129270A1Publication Date: 2013-09-06
- Inventor: 鷲見 高弘 , 石川 久美子 , 足立 淳 , 築澤 孝之
- Applicant: 株式会社村田製作所
- Applicant Address: 〒6178555 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 Kyoto JP
- Assignee: 株式会社村田製作所
- Current Assignee: 株式会社村田製作所
- Current Assignee Address: 〒6178555 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 Kyoto JP
- Agency: 小柴 雅昭
- Priority: JP2012-042739 20120229
- Main IPC: H01T1/20
- IPC: H01T1/20 ; H01T2/02 ; H01T4/04 ; H01T4/10 ; H01T4/12 ; H05F3/02 ; H05F3/04
Abstract:
低印加電圧での放電特性に優れたESD保護デバイスを提供する。 互いに対向するように配置された第1および第2の放電電極と、第1および第2の放電電極間に跨るように形成された放電補助電極と、第1および第2の放電電極ならびに放電補助電極を保持する絶縁体基材とを備える、ESD保護デバイスにおいて、放電補助電極が、第1の金属を主成分とする複数の金属粒子(22)を含み、この金属粒子(22)の表面には微細な凹凸が形成されること、より特定的には、金属粒子(22)のフラクタル次元Dが1.03以上であることを特徴としている。微細な凹凸部には電荷が集中するため、放電補助電極において、比較的低い印加電圧で放電を生じさせることができる。
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