半導体装置およびその製造方法

Invention Application

WO2013140621A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开

Title translation: 半导体器件及其制造方法

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Patent Title: 半導体装置およびその製造方法
Patent Title (English): Semiconductor device and method for manufacturing same
Patent Title (中): 半导体器件及其制造方法
Application No.: PCT/JP2012/057589

Application Date: 2012-03-23
Publication No.: WO2013140621A1

Publication Date: 2013-09-26
Inventor: 新井　大輔 , 可知　剛 , 星野　義典 , 田畑　剛 , 斉藤　靖之
Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社 , 新井大輔 , 可知剛 , 星野義典 , 田畑剛 , 斉藤靖之
Applicant Address: 〒2118668 神奈川県川崎市中原区下沼部1753番地 Kanagawa JP
Assignee: ルネサスエレクトロニクス株式会社,新井大輔,可知剛,星野義典,田畑剛,斉藤靖之
Current Assignee: ルネサスエレクトロニクス株式会社,新井　大輔,可知　剛,星野　義典,田畑　剛,斉藤　靖之
Current Assignee Address: 〒2118668 神奈川県川崎市中原区下沼部１７５３番地 Kanagawa JP
Agency: 筒井大和
Main IPC: H01L29/739
IPC: H01L29/739 ; H01L21/336 ; H01L29/78

Abstract:

　複数の活性領域の各々には、ｐ型チャネル層（７）、ｎ型ソース層（８）、およびｐ型エミッタ層（９）が形成された表面半導体層（４）が形成されており、ベース層（２）の上面から、ゲート電極（１１）の下に位置する表面半導体層（４）の上面までの厚さが、ベース層（２）の上面から、第２開口部（１５）が形成された領域の表面半導体層（４）の上面までの厚さよりも薄い。

Abstract(Chinese):

在多个有源区上形成表面半导体层（4），其上形成有p沟道层（7），n沟道层（8）和p型发射极层（9）。从基底层（2）的顶表面到位于栅电极（11）下方的表面半导体层（4）的顶表面的厚度小于从基层（2）的顶表面至形成有第二开口部（15）的区域中的表面半导体层（4）的上表面。

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Global Dossier Patent Scope Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/70	...双极器件
H01L29/72	....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的
H01L29/739	.....受场效应控制的