積層型半導体装置２は、一方の面１０ａに第一の電極１１、および第一の電極を囲うように立設した第一の壁部１７が設けられた第一の基板１０と、第一の面２０ａに第二の電極２１、および第二の電極を囲うように立設した第二の壁部２７が設けられた第二の基板２０とを備え、第一の基板と第二の基板とは、一方の面と第一の面とを対向させ、第一の電極と第二の電極とを接続させるとともに、第一の壁部のうち第一の壁部が立設する先端部と第二の壁部のうち第二の壁部が立設する先端部とを第一の壁部の全周にわたり接続した状態に配置され、第一の基板と第二の基板との間であって第一の壁部および第二の壁部の外側には、第一の壁部の全周にわたり封止部材３０が充填されている。