发明申请
- 专利标题： 半導体装置及びその製造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and method for manufacturing same
- 专利标题（中）： 半导体器件及其制造方法
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申请号： PCT/JP2012/066917申请日： 2012-07-02
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公开(公告)号： WO2014006682A1公开(公告)日： 2014-01-09
- 发明人: 川瀬 達也 , 石原 三紀夫 , 佐々木 太志 , 高山 剛 , 加藤 肇
- 申请人： 三菱電機株式会社 , 川瀬 達也 , 石原 三紀夫 , 佐々木 太志 , 高山 剛 , 加藤 肇
- 申请人地址： 〒1008310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 Tokyo JP
- 专利权人： 三菱電機株式会社,川瀬 達也,石原 三紀夫,佐々木 太志,高山 剛,加藤 肇
- 当前专利权人： 三菱電機株式会社,川瀬 達也,石原 三紀夫,佐々木 太志,高山 剛,加藤 肇
- 当前专利权人地址： 〒1008310 東京都千代田区丸の内二丁目７番３号 Tokyo JP
- 代理机构： 高田 守
- 主分类号： H01L21/52
- IPC分类号： H01L21/52 ; B23K1/19 ; B23K1/20 ; H01L21/60 ; H01L23/48 ; H01L23/50
摘要：
まず、導電板（４）の上面から下面に向かって複数の貫通孔（５）を形成する。次に、半導体素子（１）の電極（２）と金属フレーム（３）との間に、半田（６）で包んだ導電板（４）を挿入する。次に、半田（６）及び導電板（４）を介して電極（２）と金属フレーム（３）を加熱接合させる。このように半導体素子（１）の電極（２）と金属フレーム（３）との間に導電板（４）を挿入することで最低限の半田（６）の厚みを確保できるため、半田（６）の厚みの寸法公差を低減できる。また、導電板（４）を包む半田（６）の量を調整することで半田（６）が過剰供給されず、小さい半導体素子（１）にも適当量の半田を供給できる。
IPC分类:
