Invention Application
- Patent Title: 半導体装置
- Patent Title (English): Semiconductor device
- Patent Title (中): 半导体器件
-
Application No.: PCT/JP2013/003338Application Date: 2013-05-27
-
Publication No.: WO2014006814A1Publication Date: 2014-01-09
- Inventor: 池内 宏樹
- Applicant: パナソニック株式会社
- Applicant Address: 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka JP
- Assignee: パナソニック株式会社
- Current Assignee: パナソニック株式会社
- Current Assignee Address: 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka JP
- Agency: 特許業務法人 松田国際特許事務所
- Priority: JP2012-150738 20120704
- Main IPC: H01L25/07
- IPC: H01L25/07 ; H01L25/18 ; H02M7/48
Abstract:
インバータモジュールのP、UおよびN出力電極にそれぞれ接続される銅電極バーを互いに近接させてチップの上面に配置する従来の構成では、不要なインダクタンス成分を低減する目的には不十分であった。 第1のリードフレーム(1)と、第2のリードフレーム(2)と、第1のリードフレーム(1)と、第2のリードフレーム(2)と、の間に配置された第2の絶縁樹脂(8)と、半導体素子(4a)および(4b)と、第1のリードフレーム(1)と、第2のリードフレーム(2)と、を封止する封止樹脂(9)と、半導体素子(4a)および(4b)と、第1のリードフレーム(1)と、を電気的に接続する電気配線部(5)と、第1のリードフレーム(1)と、第2のリードフレーム(2)と、を電気的に接続する層間接続部(6)と、を備える、半導体装置。
Information query
IPC分类: