Invention Application
- Patent Title: サブマウントおよび封止済み半導体素子ならびにこれらの作製方法
- Patent Title (English): Submount, sealed semiconductor element, and method for fabricating same
- Patent Title (中): SUBMOUNT，密封半导体元件及其制造方法
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Application No.: PCT/JP2013/004205Application Date: 2013-07-05
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Publication No.: WO2014010220A1Publication Date: 2014-01-16
- Inventor: 宋 学良 , 佐藤 望 , 管野 元太 , 牧野 瑶子
- Applicant: 先端フォトニクス株式会社
- Applicant Address: 〒1538904 東京都目黒区駒場四丁目6番1号東京大学先端科学技術センター KOL305 Tokyo JP
- Assignee: 先端フォトニクス株式会社
- Current Assignee: 先端フォトニクス株式会社
- Current Assignee Address: 〒1538904 東京都目黒区駒場四丁目６番１号東京大学先端科学技術センター ＫＯＬ３０５ Tokyo JP
- Agency: 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
- Priority: JP2012-157541 20120713
- Main IPC: H01L23/12
- IPC: H01L23/12 ; H01L21/60 ; H01L23/29 ; H01L23/31 ; H01L25/04 ; H01L25/18
Abstract:
メイン基板上のＩＣと容易に接続することができる、半導体素子（１０４）を備えたサブマウント（１００）を提供すること。本発明の一実施形態に係るサブマウント（１００）は、基板（１０１）と、電極（１０２），（１０３）と、半導体素子（１０４）と、Ａｕワイヤ（１０５）と、金バンプ（１０６），（１０７）とから構成される。電極（１０２），（１０３）と、半導体素子（１０４）と、Ａｕワイヤ（１０５）と、金バンプ（１０６），（１０７）とは、樹脂（１０８）により基板（１０１）上で封止される。金バンプ（１０７）は、電極（１０３）上かつＡｕワイヤ（１０５）上にボールボンディングにより形成された後、ダイシングにより切断されて側面が露出する。露出した面が、サブマウント（１００）の側面電極として機能することとなる。
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IPC分类:
