Invention Application
- Patent Title: ウエハの処理方法
- Patent Title (English): Wafer processing method
- Patent Title (中): WAFER加工方法
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Application No.: PCT/JP2013/071208Application Date: 2013-08-06
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Publication No.: WO2014024861A1Publication Date: 2014-02-13
- Inventor: 麻生 隆浩 , 利根川 亨 , 上田 洸造 , 藪口 博秀
- Applicant: 積水化学工業株式会社
- Applicant Address: 〒5300047 大阪府大阪市北区西天満2丁目4番4号 Osaka JP
- Assignee: 積水化学工業株式会社
- Current Assignee: 積水化学工業株式会社
- Current Assignee Address: 〒5300047 大阪府大阪市北区西天満2丁目4番4号 Osaka JP
- Agency: 特許業務法人 安富国際特許事務所
- Priority: JP2012-178576 20120810; JP2012-264463 20121203; JP2013-122027 20130610
- Main IPC: H01L21/304
- IPC: H01L21/304 ; C09J5/00 ; C09J11/06 ; C09J157/00
Abstract:
本発明は、接着剤組成物を介してウエハを支持板に固定した状態でウエハを処理するウエハの処理方法であって、薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理を施すウエハ処理工程を有するにもかかわらず、ウエハ処理工程時には充分な接着力を維持し、かつ、ウエハ処理工程終了後にはウエハを損傷したり糊残りしたりすることなく支持板をウエハから剥離できるウエハの処理方法を提供することを目的とする。 本発明は、光照射又は加熱により架橋、硬化する硬化型接着剤成分を含有する接着剤組成物を介してウエハを支持板に固定する支持板固定工程と、前記接着剤組成物に光を照射又は加熱して硬化型接着剤成分を架橋、硬化する接着剤硬化工程と、前記支持板に固定されたウエハの表面に薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理を施すウエハ処理工程と、前記処理後のウエハから支持板を剥離する支持板剥離工程とを有するウエハの処理方法である。
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