活性領域（１２）の外周縁部から半導体基板（１１）の外周縁部に向けて、活性領域（１２）を囲繞するように電界緩和層（１３）を形成する。電界緩和層（１３）は、複数のＰ型不純物層（２１～２５）を備える。各Ｐ型不純物層（２１～２５）は、Ｐ型注入層（２１ａ～２５ａ）と、Ｐ型注入層（２１ａ～２５ａ）を囲繞するように形成され、Ｐ型注入層（２１ａ～２５ａ）よりもＰ型不純物の濃度が低いＰ型拡散層（２１ｂ～２５ｂ）とを備える。第１のＰ型注入層（２１ａ）は、活性領域（１２）に接するか、または一部分が重なって形成される。各Ｐ型拡散層（２１ｂ～２５ｂ）は、第１のＰ型拡散層（２１ｂ）と第２のＰ型拡散層（２２ｂ）とが接するか、またはオーバーラップする程度の広がりを有するように形成される。Ｐ型注入層（２１ａ～２５ａ）同士の間隔（ｓ２～ｓ５）は、活性領域（１２）から半導体基板（１１）の外周縁部に向かうに従って大きくなる。