Invention Application
- Patent Title: 背光驱动的直流升压拓扑电路
- Patent Title (English): Backlight-driven direct-current booster topology circuit
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Application No.: PCT/CN2012/085226Application Date: 2012-11-25
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Publication No.: WO2014075338A1Publication Date: 2014-05-22
- Inventor: 曹丹 , 杨翔
- Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司 , 曹丹 , 杨翔
- Applicant Address: 中国广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号, Guangdong 518132 CN
- Assignee: 深圳市华星光电技术有限公司,曹丹,杨翔
- Current Assignee: 深圳市华星光电技术有限公司,曹丹,杨翔
- Current Assignee Address: 中国广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号, Guangdong 518132 CN
- Agency: 深圳市德力知识产权代理事务所
- Priority: CN201210460615.3 20121115
- Main IPC: H02M3/335
- IPC: H02M3/335 ; H05B41/36
Abstract:
一种背光驱动的直流升压拓扑电路,包括:直流电压输入端(10)、直流电压输出端(60)、耦合电感(20)、场效应管(Q)、电路保护单元(40)及一储能模块(70),该耦合电感(20)包括:初级线圈(22)及次级线圈(24),该初级线圈(22)一端与直流电压输入端(10)电性连接,另一端与场效应管(Q)电性连接,该储能模块(70)包括第一电容(C2)及第一二极管(D2),该次级线圈(24)一端与第一电容(C2)电性连接,另一端与初级线圈(22)的另一端及第一二极管(D2)电性连接,该第一二极管(D2)另一端与第一电容(C2)的另一端电性连接,该电路保护单元(40)一端连接至第一二极管(D2)及第一电容(C2)的公共端,另一端连接至直流电压输出端(60),该场效应管(Q)另一端电性连接至地线。
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IPC分类: