低電流書き込み時の抵抗値の保持性能を向上させることが可能な記憶素子および記憶装置を提供する。本技術の記憶素子は、第１電極、記憶層および第２電極をこの順に有し、記憶層は、周期律表第４族、第５族および第６族から選ばれる少なくとも１種の遷移金属元素とテルル（Ｔｅ），硫黄（Ｓ）およびセレン（Ｓｅ）から選ばれる少なくとも１種のカルコゲン元素とホウ素（Ｂ）および炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１種とを含むイオン源層と、第１電極および第２電極への電圧印加によって抵抗が変化する抵抗変化層とを備える。