Invention Application
WO2014131960A1 PROCÉDÉ D'OBTENTION D'UNE SURFACE DE COLLAGE POUR COLLAGE DIRECT
审中-公开
用于获得用于直接粘结的粘结表面的方法
- Patent Title: PROCÉDÉ D'OBTENTION D'UNE SURFACE DE COLLAGE POUR COLLAGE DIRECT
- Patent Title (English): Process for obtaining a bonding surface for direct bonding
- Patent Title (中): 用于获得用于直接粘结的粘结表面的方法
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Application No.: PCT/FR2014/050269Application Date: 2014-02-12
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Publication No.: WO2014131960A1Publication Date: 2014-09-04
- Inventor: BENAISSA, Lamine , GONDCHARTON, Paul , IMBERT, Bruno
- Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
- Applicant Address: 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" F-75015 Paris FR
- Assignee: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
- Current Assignee: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
- Current Assignee Address: 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" F-75015 Paris FR
- Agency: CABINET GERMAIN & MAUREAU
- Priority: FR13/51799 20130228
- Main IPC: H01L21/18
- IPC: H01L21/18
Abstract:
Procédé d'obtention d'une surface de collage pour collage direct Le procédé comprend -a) Fournir un substrat de base (1) fritté métallique présentant une surface de base (2)comportant une rugosité RMS inférieure 6 nanomètres et une rugosité PV inférieure à 100 nanomètres, -b) Bombarder d'espèces ioniques ladite surface de base (2), -c) Déposer une couche métallique (4) sur ladite surface de base (2), -d) Effectuer un polissage mécanique et/ou chimique d'une surface exposée de la couche métallique (4). L'invention concerne également une structure (800) comprenantun substrat de base (1) fritté métallique dont la surface de base (2) est formée au moins en partie d'un matériau métallique comprenant des espèces ioniques implantées par bombardementsur la surface de base (2), une couche métallique (4) de compostion chimique identique à celle du substrat de base (1) métalliqueet comportant une surface de collage (500) présentantune rugosité RMS inférieure0,6 nanomètreet une rugosité PV inférieure à 10 nanomètres.
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