提供了一种调节多栅结构器件阈值电压的方法，其特征是，制备多栅结构器件，使之形成表面高掺杂内部低掺杂的沟道杂质分布，利用杂质掺杂在调节阈值电压的同时，尽量减小库伦杂质散射对于载流子的影响，使得载流子的迁移率维持在较高水平。首先，该方案能够使得多栅器件获得较大范围的多阈值电压，方便IC设计人员在电路设计过程中对于器件的不同需求。其次，在引入杂质掺杂以调整阈值电压过程中，尽量减小了库伦杂质散射对于沟道载流子的影响，使得载流子的迁移率维持在较高水平，保证器件拥有较高的驱动电流。最后，该方案可以通过与传统CMOS兼容的工艺方法实现，具备大规模生产的潜力。