Invention Application
- Patent Title: 薄膜晶体管、其制作方法和阵列基板
- Patent Title (English): Thin film transistor, method for manufactur thereof and array substrate
-
Application No.: PCT/CN2013/084433Application Date: 2013-09-27
-
Publication No.: WO2014173078A1Publication Date: 2014-10-30
- Inventor: 阎长江 , 龙君 , 朱孝会 , 谢振宇 , 陈旭
- Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
- Applicant Address: 中国北京市经济技术开发区西环中路8号, Beijing 100176 CN
- Assignee: 北京京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- Current Assignee: 北京京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国北京市经济技术开发区西环中路8号, Beijing 100176 CN
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Priority: CN201310146651.7 20130424
- Main IPC: H01L29/786
- IPC: H01L29/786 ; H01L21/336 ; H01L27/15
Abstract:
提供一种薄膜晶体管、其制作方法以及阵列基板。薄膜晶体管包括：形成于基板（101）上的栅极（102），形成于栅极（102）上并覆盖至少部分基板（101）的栅绝缘层（103），以及形成于栅绝缘层（103）上的半导体层（105'）、源极（107a）和漏极（107b）。半导体层（105'）的材料为氧化物半导体，源极（107a）、漏极（107b）的材料为掺杂的氧化物半导体。源极（107a）、漏极（107b）与半导体层（105'）同层设置。
Information query
IPC分类:
