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WO2014184988A1 半導体装置及びその製造方法 审中-公开
半导体器件及其制造方法

半導体装置及びその製造方法
Abstract:
　半導体装置は、第１電極１３２及び第２電極１３３を含む第１表面層１１３を有する第１の基板１０１と、第３電極１４２及び第４電極１４３を含む第２表面層１２３とを有し、第２表面層１２３を第１表面層１１３と接するようにして、第１の基板１０１と直接接合された第２の基板１０２と、第２電極１３３と第４電極１４３との間に設けられた機能性膜１０３とを備えている。第１電極１３２と第３電極１４２とは互いに接して接合されており、第２電極１３３、機能性膜１０３及び第４電極１４３により受動素子が構成されている。
Abstract(Chinese):

一种半导体器件，具备：第一基板（101），具有包括第一电极（132）和第二电极（133）的第一表面层（113） 具有包括第三电极（142）和第四电极（143）的第二表面层（123）的第二基板（102），所述第二基板（102）直接接合到所述第一基板（101），使得所述第二基板 表层（123）与第一表面层（113）保持接触; 和设置在第二电极（133）和第四电极（143）之间的功能膜（103）。 第一电极（132）和第三电极（142）被接合以彼此接触，无源元件由第二电极（133），功能膜（103）和第四电极 （143）。

IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
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