ＩＧＢＴに、上部ボディ領域８ａと下部ボディ領域８ｂに分離するバリア層１０を付加すると電導度変調が活発化してオン抵抗が下がり、バリア層１０に達するショットキー接触領域６を付加するとダイオード構造を実現できるが、バリア層１０とショットキー接触領域６を経由してエミッタ領域４に至る電流経路が付加され、飽和電流が増大し、短絡耐量が低下する。ショットキー接触領域６とエミッタ領域４は上部ボディ領域８ａで分離されており、上部ボディ領域８ａの不純物濃度を選択することで、飽和電流の増大を避けることができる。あるいは、ショットキー接触領域６とエミッタ領域４を分離している範囲に、ショットキー接触領域６から上部ボディ領域８ａ内に伸びる空乏層とエミッタ領域４から上部ボディ領域８ａ内に伸びる空乏層がつながらないようにする遮断構造を付加してもよい。