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Invention Application
WO2014188927A1 半導体装置及びその製造方法 审中-公开
半导体器件及其制造方法

半導体装置及びその製造方法
Abstract:
　半導体基板上に配置される下部電極601と、第２の保護膜602と、第２の保護膜に対向する上面603Sから膜厚方向に進展した欠陥610を有する誘電体膜603と、欠陥610を埋設した絶縁体からなる欠陥埋設膜604Bを少なくとも有する第３の保護膜604と、誘電体膜603および第３の保護膜604を覆う第１の保護膜605と、第１の保護膜605を覆う上部電極606と、を備えるキャパシタを有する半導体装置の構成とする。
Abstract(Chinese):

该半导体器件被配置为包括电容器，该电容器设置有布置在半导体衬底上的下电极（601） 第二保护膜（602）; 具有从面向第二保护膜的上表面（603S）沿膜厚方向延伸的缺陷（610）的电介质膜（603） 至少具有由填充缺陷（610）的绝缘体形成的缺陷填充膜（604B）的第三保护膜（604）; 覆盖电介质膜（603）和第三保护膜（604）的第一保护膜（605）; 和覆盖第一保护膜（605）的上部电极（606）。

IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8239 ........存储器结构
H01L21/8242 .........动态随机存取存储结构（DRAM）
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