一种非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供N型衬底（100）；在所述N型衬底（100）上采用挖槽填充的方式形成P+发射区（102）；在所述N型衬底（100）上具有P+发射区（102）的一面外延制备N型漂移区（300）；在所述N型漂移区（300）上制备所述绝缘栅双极型晶体管的正面结构；将所述N型衬底（100）减薄至背面露出所述P+发射区（102）；在所述N型衬底（100）背面形成金属电极。上述方法采用挖槽填充与外延方式结合制备非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管，与常规的硅片工艺兼容，不需要较高的薄片流通工艺要求，也不需要专用的双面曝光机。