Invention Application
- Patent Title: 半導体装置および半導体装置の製造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
- Patent Title (中): 半导体器件及制造半导体器件的方法
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Application No.: PCT/JP2014/066069Application Date: 2014-06-17
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Publication No.: WO2014208404A1Publication Date: 2014-12-31
- Inventor: 小野澤 勇一 , 瀧下 博 , 吉村 尚
- Applicant: 富士電機株式会社
- Applicant Address: 〒2109530 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 Kanagawa JP
- Assignee: 富士電機株式会社
- Current Assignee: 富士電機株式会社
- Current Assignee Address: 〒2109530 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 Kanagawa JP
- Agency: 酒井 昭徳
- Priority: JP2013-134329 20130626
- Main IPC: H01L21/322
- IPC: H01L21/322 ; H01L21/263 ; H01L21/268 ; H01L21/329 ; H01L29/861 ; H01L29/868
Abstract:
まず、ｎ - 型半導体基板のおもて面側におもて面素子構造を形成する。次に、電子線照射および炉アニールにより、ｎ - 型半導体基板全体に欠陥（１２）を形成してキャリアライフタイムを調整する。次に、ｎ - 型半導体基板の裏面を研削してｎ - 型半導体基板の厚さを薄くする。次に、ｎ - 型半導体基板の研削後の裏面側からｎ型不純物をイオン注入し、ｎ - 型半導体基板の裏面の表面層にｎ + 型カソード層（４）を形成する。ｎ - 型半導体基板の裏面側から水素イオン注入（１４）し、ｎ - 型半導体基板の裏面の表面層に、バルク基板の水素濃度以上の水素濃度を有する水素注入領域を形成する。次に、レーザーアニールによりｎ + 型カソード層（４）を活性化させた後、カソード電極を形成する。これにより、漏れ電流の増加や製造ラインの汚染を生じさせることなく、安価に、局所的なキャリアライフタイム制御を行うことができる。
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IPC分类:
