放射線撮像装置は、放射線に基づく信号電荷を発生する複数の画素と、複数の画素から信号電荷を読み出すための電界効果型のトランジスタとを備え、トランジスタは、基板側から順に積層された、第１のシリコン酸化物膜、活性層を含む半導体層および第２のシリコン酸化物膜と、第１または第２のシリコン酸化膜を間にして半導体層に対向配置された第１ゲート電極とを有する。第２のシリコン酸化物膜の厚みは、第１のシリコン酸化物膜の厚みと同等以上である。