Invention Application
- Patent Title: スパッタリングターゲット及びその製造方法
- Patent Title (English): Sputtering target and method for producing same
- Patent Title (中): 喷射目标及其生产方法
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Application No.: PCT/JP2014/005120Application Date: 2014-10-08
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Publication No.: WO2015052927A1Publication Date: 2015-04-16
- Inventor: 西村 麻美 , 大山 正嗣
- Applicant: 出光興産株式会社
- Applicant Address: 〒1008321 東京都千代田区丸の内三丁目1番1号 Tokyo JP
- Assignee: 出光興産株式会社
- Current Assignee: 出光興産株式会社
- Current Assignee Address: 〒1008321 東京都千代田区丸の内三丁目１番１号 Tokyo JP
- Agency: 渡辺 喜平
- Priority: JP2013-212108 20131009; JP2013-212109 20131009
- Main IPC: C23C14/34
- IPC: C23C14/34 ; C04B35/00 ; C23C14/08 ; H01B5/14
Abstract:
酸化インジウム及び酸化亜鉛を主成分とし、Ｉｎ ２ Ｏ ３ （ＺｎＯ） ｍ （式中、ｍ＝２～７の整数）で表される六方晶層状化合物を含有し、Ｓｎ元素及びＺｒ元素を含有し、全金属元素に対するＳｎ元素の割合が２０００ｐｐｍより多く２００００ｐｐｍ以下である、スパッタリングターゲット。
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