本发明提供了一种 FinFET制造方法，包括：a.提供衬底、鳍片、沟道保护层、源漏区、浅沟槽隔离结构、层间介质层、伪栅叠层和侧墙，所述沟道保护层位于鳍片顶部；b.去除所述伪栅叠层，形成伪栅空位，露出位于鳍片中部的沟道以及沟道保护层；c.在述半导体结构鳍片的一侧覆盖光刻胶；d. 去除未被光刻胶覆盖一侧的侧墙；g.去除光刻胶，并在所述伪栅空位中填充栅极叠层；h.对所述半导体进行平坦化，暴露出沟道保护层，形成第一分立栅叠层和第二分立栅叠层。相比于现有技术，本发明可有效地提高独立栅电位FinFET两个栅极的控制能力，更利于提高器件各方面的性能。