一种功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作方法，涉及半导体技术，制作方法包括：以P + 单晶硅片为衬底（11），首先在P + 单晶硅衬底（11）表面外延生长P型层（12），然后在P型层（12）表面通过外延或离子注入并推阱形成一层N型层（13），其中P型层（12）是超结部分的耐压层，N型层（13）是器件正面MOS部分的形成区域，在器件正面工艺完成后进行背面减薄，通过背面氢离子的多次选择性注入以及低温退火，形成超结结构中的N柱区（25）。本发明的有益效果为，制作方法简单，降低了制造工艺难度，减少了制造成本，尤其适用于功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作。