Invention Application
- Patent Title: 低α線ビスマスの製造方法及び低α線ビスマス
- Patent Title (English): Method for producing low α-emitting bismuth and low α-emitting bismuth
- Patent Title (中): 用于生产低发射双相和低发射双相的方法
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Application No.: PCT/JP2014/075025Application Date: 2014-09-22
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Publication No.: WO2015125331A1Publication Date: 2015-08-27
- Inventor: 細川 侑
- Applicant: JX日鉱日石金属株式会社
- Applicant Address: 〒1008164 東京都千代田区大手町二丁目6番3号 Tokyo JP
- Assignee: JX日鉱日石金属株式会社
- Current Assignee: JX日鉱日石金属株式会社
- Current Assignee Address: 〒1008164 東京都千代田区大手町二丁目6番3号 Tokyo JP
- Agency: 小越 勇
- Priority: JP2014-030482 20140220
- Main IPC: C25C1/22
- IPC: C25C1/22 ; C22B3/42 ; C22B30/06 ; C22C12/00 ; C22C13/02 ; H01L21/60 ; B23K1/00
Abstract:
α線量が0.003cph/cm 2 以下であることを特徴とする低α線ビスマス。α線量が0.5cph/cm 2 以下であるビスマスを原料とし、電気分解により原料ビスマスを硝酸溶液に溶解して、ビスマス濃度を5~50g/L、pH0.0~0.4の硝酸ビスマス溶液を作製し、この溶液をイオン交換樹脂を詰めたカラムに通して、溶液中のポロニウムをイオン交換樹脂で交換除去し、イオン交換樹脂に通液後の液を電解採取して、ビスマスを回収することを特徴とする低α線ビスマスの製造方法。
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