基板処理装置（１）は、上部開口（２２２）を有するチャンバ本体（２２）と、下部開口（２３２）を有するチャンバ蓋部（２３）と、チャンバ蓋部（２３）の蓋内部空間（２３１）に配置される遮蔽板（５１）とを備える。遮蔽板（５１）の径方向の大きさは、下部開口（２３２）の径方向の大きさよりも大きい。チャンバ本体（２２）の上部開口（２２２）がチャンバ蓋部（２３）により覆われることにより、基板（９）が内部に収容されるチャンバ（２１）が形成される。基板処理装置（１）では、基板（９）が搬入されてチャンバ（２１）が形成されるよりも前に、遮蔽板（５１）が下部開口（２３２）に重ねられた状態で、ガス供給部（８１２）から供給されるガスがチャンバ蓋部（２３）の蓋内部空間（２３１）に充填される。これにより、チャンバ（２１）の形成後、チャンバ（２１）内に迅速にガスを充満させ、所望の低酸素雰囲気とすることができる。