提供一种绝缘体上硅器件的金属间介质层结构，包括覆盖金属互连的富硅氧化物层（54），富硅氧化物层上的氟硅玻璃层、及氟硅玻璃层上的非掺杂硅酸盐玻璃层，所述富硅氧化物层（54）的厚度为700埃±10％，厚度较大的富硅氧化物层可以将可动离子俘获在不饱和键上，使得可动离子难以穿过富硅氧化物层，实现了阻挡可动离子的目的。在栅氧化层完整性评估中有良好的表现，避免了可动离子在界面处的聚集造成器件的损坏。还提供了一种绝缘体上硅器件，以及一种绝缘体上硅器件的金属间介质层的制造方法。