一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。制造方法包括在基板（20）上形成多晶硅层（22）与栅极绝缘层（23），栅极绝缘层（23）上形成金属氧化物层（26），金属氧化物层（26）上形成栅极金属层，刻蚀栅极金属层定义栅极（24），以栅极（24）作为第二光罩刻蚀掉第二光罩范围以外的金属氧化物层（26），以栅极（24）与剩余的金属氧化物层（26）作为第三光罩进行离子植入以分别形成轻掺杂漏极区（30）于所述多晶硅层（22）两侧，于栅极（24）与栅极绝缘层（23）上形成绝缘层（25），于绝缘层（25）上形成金属层(28)，并定义源极（281）及漏极（282）分别与源极掺杂区（222）和漏极掺杂区（221）相连，使得离子植入的剂量保持均匀性，进一步维持显示器亮度一致。