发明申请
- 专利标题: パワー半導体モジュール
- 专利标题(英): Power semiconductor module
- 专利标题(中): 功率半导体模块
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申请号: PCT/JP2015/071203申请日: 2015-07-27
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公开(公告)号: WO2016031462A1公开(公告)日: 2016-03-03
- 发明人: 堀 元人 , 高橋 良和 , 望月 英司 , 西村 芳孝 , 池田 良成
- 申请人: 富士電機株式会社
- 申请人地址: 〒2109530 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 Kanagawa JP
- 专利权人: 富士電機株式会社
- 当前专利权人: 富士電機株式会社
- 当前专利权人地址: 〒2109530 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 Kanagawa JP
- 代理机构: 本多 一郎
- 优先权: JP2014-174629 20140828
- 主分类号: H01L25/07
- IPC分类号: H01L25/07 ; H01L23/473 ; H01L25/18
摘要:
パワー半導体モジュールは、冷却器と、冷却器上に並べて固定された複数のパワー半導体ユニットと、パワー半導体ユニットを電気的に接続するバスバーユニットとを備えている。パワー半導体ユニットは、回路板、絶縁板及び金属板が順次に積層された積層基板と、回路板に固定された半導体素子と、プリント基板と複数の導電ポストを有する配線部材と、回路板に電気的かつ機械的に接続された外部端子と、絶縁性の封止材とを備えている。バスバーユニットは、各パワー半導体ユニットの外部端子を相互に接続する複数のバスバーを備えている。
IPC分类: