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WO2016043039A1 R-T-B系焼結磁石の製造方法 审中-公开
用于生产基于R-T-B的烧结磁体的方法

R-T-B系焼結磁石の製造方法
Abstract:
 1)成形体を焼結し、27.5質量%以上、34.0質量%以下のRと、0.85質量%以上、0.93質量%以下のBと、0.20質量%以上、0.70質量%以下のGaと、0.2質量%より多く、0.50質量%以下のCuと、0.05質量%以上、0.5質量%以下のAlと、0質量%以上、0.1質量%以下のMと、を含有し、残部がTおよび不可避不純物であり、式(1)および(2)を満足するR-T-B系焼結磁石素材を準備する工程と、 2)R-T-B系焼結磁石素材を730℃以上1020℃以下の温度に加熱後、5℃/分以上で300℃まで冷却する高温熱処理工程と 3)高温熱処理工程後のR-T-B系焼結磁石素材を440℃以上550℃以下の温度に加熱する低温熱処理工程と、を含むR-T-B系焼結磁石の製造方法である。 [T]-72.3[B]>0 (1) ([T]-72.3[B])/55.85<13[Ga]/69.72 (2) (なお、[T]は質量%で示すTの含有量であり、[B]は質量%で示すBの含有量であり、[Ga]は質量%で示すGaの含有量である)
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